随着半导体技术的不断发展,集成电路的互连线尺寸不断减小,Cu-CMP已经成为深亚微米工艺中的的重要技术。本文主要分析了Cu-CMP后Cu金属的腐蚀缺陷的产生机理,使用应用材料公司生产的Mirra Mesa Intergrated CMP System工艺设备,利用该设备上的研磨头喷头和硅片吸附等装置上的冲洗部件,对采用双大马士革Cu工艺的图形化200mm实验硅片在Cu-CMP后设计了不同条件下去离子水冲洗硅片的实验:(1)在铜化学机械研磨中的测机中间对研磨头进行冲洗,可有效提高研磨头的使用时间和效果,同时能防止铜表面腐蚀缺陷的产生。(2)在铜化学机械研磨后对硅片进行及时的预冲洗,可有效去除硅片上的残留研磨液,同时能防止铜表面腐蚀缺陷的产生。(3)在铜化学机械研磨后的清洗装置中采用隔膜,可有效防止清洗传动装置的污染颗粒影响硅片,能延长清洗刷子的寿命,同时能防止清洗液腐蚀传动装置,提高设备的使用效率。给出一种优化了的研磨头清洗方案,从而减少了Cu-CMP后Cu金属的腐蚀缺陷的产生。