碳化硅材料是共价键极强的化合物，具有良好的高温性能、电性能、机械性能和化学性能。采用碳化硅材质制备多孔陶瓷，可将碳化硅陶瓷的优良性能和多孔陶瓷的应用有机结合起来，具有广阔的应用前景。 本文采用网格堆积法制备多孔SiC陶瓷，研究了各种不同工艺因素对多孔碳化硅陶瓷性能的影响，并对其制备工艺进行了优化。应用XRD、SEM、欧姆法等手段，对多孔陶瓷的性能以及微观结构作了分析与探讨。另外还对电致发热多孔SiC陶瓷的应用进行了研究，分析了其发热能力、对气体的净化能力、对微粒的捕集能力和捕集后的再生能力。 在前期实验的基础上，本文分别对制备过程中的干燥制度和素烧的升温制度进行了优化，有效地提高了成品率。确定的最佳烧结温度为2200℃、烧结时间为21分钟。通过对各加入组分的优选，得出了在对粗(100μm～200μm)和细(0μm～50μm)两种碳化硅颗粒进行颗粒级配时，当细颗粒加入量范围在0～9％之间，试样显示出了良好的综合性能；当SiC加入量为50％时为最佳点，此时的电阻率为最小值0.162Ω·cm；当成孔剂的加入量控制在12～16％之间时，试样综合性能较佳。 通过测试，试样具有良好的三维贯通网络结构，主孔径在400μm左右，微孔道通过多个窗口与其它孔道相连，微主孔道直径为15μm左右；此外，试样具有优异的抗热震性能和渗透性能，耐酸率为97.55％，耐碱率为92.82％，经酸煮过和经碱煮过的抗折强度损失率分别为4.20％和10.80％。 在应用研究中，试样在通电状况下对CO气体和HC气体的转化率分别达到79％和90％；在静态和动态下的再生效率分别能达到92％和76％；在未通电状况下对微粒的净化效率为62％。