纳米结构氧化锌的可控制备及其光伏性能研究

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能源与环境的可持续发展是社会发展和人类文明的两大重要战略。随着人类对化石资源的不断消耗和对能源需求的日益增加,使得人们对清洁新能源的开发越来越重视。其中,太阳能具有资源丰富、分布广泛、绿色环保等特点,被认为是最具潜力的新能源之一。染料敏化太阳能电池(Dye-sensitized Solar Cells, DSSC)具有制作工艺简单和成本低廉等优点,因而具有良好的发展前景。纳米结构光阳极薄膜是DSSC的重要组成部分,其结构与组成直接影响电池的光伏性能,因此如何优化与设计光阳极结构是近年来DSSC领域研究的热点问题之一。本文针对优化和设计光阳极薄膜结构的关键问题,以ZnO微/纳结构材料为研究对象,通过水热法控制合成ZnO纳米阵列及ZnO多级纳米阵列结构,探讨了ZnO纳米结构的可控生长机制,系统研究了ZnO纳米结构对DSSC光电转换性能的影响规律。本文的具体工作和主要研究结果包括:1.通过水热法制备了ZnO纳米草阵列结构,研究了添加剂对ZnO纳米草形貌、尺寸、长径比的影响规律。结果表明,延长水热生长时间,ZnO纳米棒的直径和长度都呈增大趋势;进一步研究发现,向生长溶液中添加非极性聚乙烯亚胺(Polyethyleneimine, PEI)可以调控ZnO纳米结构的形貌和长径比:当PEI浓度由0增加至7 mM,ZnO纳米棒尖端形貌由六棱柱状逐渐转变为锥体状,长径比由34.34提高至93.83。此外,本文的研究还发现,Al3+也可以调控ZnO纳米结构的生长,向生长液中添加少量硝酸铝(0.25 mM), ZnO纳米棒的直径由465 nm显著地降低至210 nm;进一步增加硝酸铝浓度时,ZnO纳米棒的直径没有明显的变化。作者分析认为,ZnO晶核的晶面选择性吸附添加剂是调控ZnO纳米结构生长的主要原因。2.采用柠檬酸三钠辅助晶体二次生长,在ZnO纳米棒表面原位生长ZnO纳米片,制备了ZnO纳米棒-纳米片(ZnO NR-NS)多级纳米阵列结构,发展了基于柠檬酸三钠辅助ZnO异相成核原位制备ZnO多级纳米阵列结构新方法。表征结果表明,ZnO纳米棒表面均匀包覆ZnO纳米片,ZnO纳米片由纳米颗粒定向排列而成;同时,二次生长的温度对ZnO NR-NS多级纳米阵列结构具有重要影响。在此基础上,成功地将柠檬酸三钠辅助二次生长技术拓展至柔性金属基体(锌片、不锈钢网),制备出ZnO NR-NS多级纳米阵列结构。3.利用不同长径比的ZnO纳米草、ZnO NR-NS多级纳米阵列以及柔性基体ZnONR-NS多级纳米阵列制备了DSSC,并系统比较了其光伏性能。研究发现:用长径比大的ZnO纳米草制备的DSSC具有更高的短路电流密度和光电转换效率,其短路电流密度由1.93提高至2.90 mA·cm-2,光电转换效率由0.47%提高至0.73%,其原因是大的长径比具有更高比表面积能够吸附更多的染料;比较了利用ZnO纳米草与ZnO NR-NS多级纳米阵列所制备DSSC的光伏性能,发现后者的光电转换效率提高了近70%,由0.66%提高至1.13%,其原因在于ZnO NR-NS多级纳米阵列结构光阳极进一步提高了染料的负载量,同时还具有较高的光散射能力;基于柔性锌片ZnO NR-NS多级纳米阵列DSSC的光伏性能结果也表明,ZnO NR-NS多级纳米阵列有利于提高光电转换效率。4.通过柠檬酸三钠辅助水热生长技术制备了微米棒、多维结构微球和空心微球等ZnO低维结构,研究了基于不同形貌ZnO微/纳结构的DSSC光伏性能。系统研究结果表明:引入柠檬酸根离子能够改变ZnO晶核的本征生长方向,由原来的[001]晶向变为[100]晶向择优生长;当柠檬酸根离子浓度为1 mM时,得到直径为2-3 gm的ZnO多维结构微球,其形成机理经历了ZnO纳米颗粒的定向自组装形成纳米片,ZnO纳米片再自组装形成多维微球结构;当柠檬酸根离子浓度为4 mM时,形成直径为2-4 μm的ZnO空心微球,其生长过程则是先形成ZnO实心微球,经历Ostwald熟化过程演变成空心微球。研究了基于三种ZnO微/纳结构的DSSC光伏性能,结果表明ZnO多维结构微球的光电转换效率达到1.42%,明显高于ZnO微米棒和空心微球的光电转换效率(分别为0.41%和0.79%),分析认为这是多维结构微球内部高的染料负载量、优异的光散射能力以及较长的电子寿命共同作用的结果。5.采用浸渍法制备了导电聚苯胺(PANi)杂化ZnO纳米草结构,并研究了PANi杂化ZnO纳米草对光伏性能的影响。经FT-IR和Raman光谱证实PANi和ZnO之间存在类化学键的杂化作用;当PANi的浓度为100 mg·L-1时,经PANi杂化后的ZnO纳米草电极的光电转换效率提高了60%,由0.40%升高至0.64%。研究还发现,PANi与ZnO之间的杂化作用能够有效促进光生电子在界面的分离,这是杂化电极光电转换效率提高的重要原因。
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