基于Ga_2O_3薄膜的多值存储及电荷俘获特性研究

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当前由于便携式移动电子设备和云服务系统的流行,人们对非易失性存储器的性能要求越来越高。传统的Flash存储器因其高密度、低功耗的优势目前仍是非易失性存储器市场上的主流产品,然而基于电荷存储机制的Flash存储器本身也存在着严重的缺陷,如操作电压高、编程速度慢、耐受性差等。阻变存储器(RRAM)基于非电荷存储机制,以其结构简单、功耗小、成本低、可快速读写、易于集成并可实现多值存储、有望成为电子神经突触器件的潜在候选者等许多优点受到了人们的广泛关注。此外,基于Flash存储器改进的电荷俘获存储器(CTM
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