【摘 要】
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本文在综述硅基SiO薄膜研究进展、表征方法、研究方法的基础上,着重研究用热氧化法和等离子体化学汽相沉积法(PECVD)制备硅基SiO薄膜的工艺,发展了薄膜制备技术,给出了SiO薄膜物
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本文在综述硅基SiO<,2>薄膜研究进展、表征方法、研究方法的基础上,着重研究用热氧化法和等离子体化学汽相沉积法(PECVD)制备硅基SiO<,2>薄膜的工艺,发展了薄膜制备技术,给出了SiO<,2>薄膜物理特性研究结果。
本文采用热氧化法在Si基上淀积SiO<,2>薄膜:在青岛赛瑞达MRl3程控扩散炉中不同的实验条件下高温处理Si基片,制得了膜厚为618A均匀致密的无定形SiO<,2>薄膜。最后利用原子力显微镜(AFM)、X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱XPS、扫描电子显微镜(SEM)和台阶仪等仪器对SiO<,2>膜的结构、形貌、成份及化学配比进行了测试分析。
本文同时研究了等离子体化学汽相沉积法(PECVD)的制备工艺,并设计了具体实验方法。
通过本论文的研究,取得了一定的成果,但是我们可以看到用热氧化法和PECVD法在硅片上制备SiO<,2>薄膜,仍需在工艺方面作进一步的研究与改进。
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