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单斜相W_(18)O_(49)(WO_(2.72))属于n型半导体,其晶体结构中氧缺陷含量相对较高,氧缺陷可作为陷阱捕获反应物分子。此外,W_(18)O_(49)是目前已报到的唯一能够以纯相存在的非化学计量氧化钨。由于其独特的缺陷结构以及在近红外吸收能力,W_(18)O_(49)被广泛的研究。然而,W_(18)O_(49)在高温条件下很容易被氧化成WO3。有研究表明在高温条件下,如果氧含量较低,低价态W的含量会增加。基于此,我们推断,在溶剂热反应体系中减少氧浓度有利于非化学计量氧化物的合成。此外,在