红荧烯由于具有导电性好,吸收系数高等优良的半导体特性和荧光特性受到科研人员的广泛关注。但是红荧烯分子成膜性差、结晶过程难以控制。本论文针对这一问题,基于溶液加工方法分别利用聚乙烯吡咯烷酮(PVP)和聚苯乙烯(PS)作为界面修饰层诱导红荧烯结晶。对比分析了界面修饰层、成膜温度和聚合物浓度对红荧烯晶体生长的影响,实现了大面积连续的高质量红荧烯结晶薄膜的制备。利用原子力显微镜、偏光显微镜、扫描电子显微镜及透射电子显微镜研究了所制备的红荧烯薄膜的晶体形貌和晶体结构,并且研究了红荧烯球晶的生长机制。结果表明,PVP和PS作为界面修饰层能促进红荧烯结晶成膜,低浓度的PVP和PS及合适的成膜温度有利于大面积连续的红荧烯球晶的形成,并且发现红荧烯球晶由更细小的枝状晶体紧密排列而成。PVP作为界面修饰层制备的红荧烯结晶薄膜表现出了明显的欧姆特性,在一定范围内电流随电压的增加而增加。以PS界面修饰层诱导制备的红荧烯结晶薄膜为有源层制备了电流开关比约为10~5的薄膜晶体管。该红荧烯薄膜晶体管具有显著的光敏性,光响应速度快,重复性高,稳定性好,200 mW/cm~2的模拟太阳光照射下的最大光响应度达到4.7μA/W,光电流/暗电流比可达到10~3。