PECVD法制备a-C：F：N薄膜的结构和稳定性研究

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【摘要】

：

氟化非晶碳薄膜是用于超大规模集成电路的一种重要的低介电常数材料,作为电介质薄膜其热稳定温度必须达到平面工艺的温度要求(400℃),氟化非晶碳薄膜的低介电常数和高热稳定性之间存在一种相互制约关系,如何保证a-C∶F薄膜介电常数相对较低的同时尽量提高其热稳定性成了目前倍受关注的课题。本文选用了两种气体组合:CF_4/CH_4/Ar和CF_4/CH_4/N_2,采用PECVD方法,在抛光的硅片和

【作者】

：

张云芳

【机构】

：

中南大学

【发表日期】

：

2005年06期

【关键词】

：

薄膜 a-C:F:N PECVD 热稳定性光学带隙

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