脉冲激光沉积Ta<,2>O<,5>薄膜过程及其性质研究

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激光烧蚀(Laser ablation)是一种发展非常迅速的新技术.目前,人们的兴趣在于对它的进一步推广应用.然而这不仅需要发展各种实验新技术,而且依赖于对激光烧蚀物理化学过程的认识深度.因此,研究激光烧蚀的基本过程是一个非常重要的基础课题.该文系统地研究了利用激光烧蚀技术在反应性气体环境下制备Ta<,2>O<,5>薄膜的各种性质以及激光烧蚀与沉积过程.首次报道了脉冲激光沉积(PLD)制备Ta<,2>O<,5>,TiO<,2>,Ta<,2>O<,5>/TiO<,2>混合薄膜的电学性能研究,如薄膜的电流-电压(I-V)特性和电容-电压(C-V)特性的测量.为了了解薄膜的特性,曾采用X射线衍射谱(XRD)、卢瑟福背散射谱(RBS)、红外傅立叶吸收光谱(FTIR)、扫描电镜(SEM)、质子诱导X荧光我谱(PIXE),以及椭园偏振分析仪测量了沉积在硅片上薄膜的结构,化学组成等,并讨论了沉积条件与退火处理对薄膜的电学性能和结构的影响.采用时间分辨与角分辨飞行四极质谱技术和时间与空间分辨发光光谱技术研究了激光烧蚀产生的羽状物组成和特征,以及反应性环境气体对烧蚀沉积过程的影响.
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