碳热还原法制备透明导电半导体纳米线(带)及其结构性能研究

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近年来,透明导电半导体氧化物材料(TCOs)吸引了人们的广泛关注,它在纳米规模的电子元件和光电器件等方面具有潜在应用价值和广阔应用前景,其纳米结构如纳米线、纳米棒、异质结、纳米薄膜和纳米颗粒等都是人们研究和开发的热点。本文采用热蒸发的方法制备出了掺铟氧化锡(ITO),氧化铟(In2O3),氧化锡(SnO2),氧化镓(Ga2O3)等一维半导体纳米材料,并利用场发射扫描电镜(FE-SEM), X射线衍射(XRD)、透射电镜(TEM),高分辨透射电镜(HRTEM),能谱(EDS)以及光致发光谱(PL)等分
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