集成电路中的芯片数量按照摩尔定律预测的速度飞速发展，在集成电路的设计中需要寻求新的互连技术，三维集成电路TSV（硅通孔）技术引起了广泛关注。三维集成电路提出了一种全新的提高IC集成度的方法，而TSV（硅通孔）技术作为一种全新的互连技术，在三维集成电路中有着非常重要的作用。互连线功耗作为互连设计中不能忽略的一项，非常关键。TSV工艺对其功耗的影响，成为TSV研究必不可少的一项。本文目的是为了研究单个TSV和两个TSV工艺对其功耗的影响。在研究单个TSV功耗之前，本文首先对其功耗模型进行了建立，确定其等效电路，对等效电路中的元件进行计算，研究工艺对其等效电路中元件的影响，进而通过功耗计算公式，就可得出工艺对其功耗的影响。对于两个TSV，首先研究了其三个等效模型，即П模型、T模型和传输线模型，本论文主要根据传输线模型来分析工艺对功耗的影响。用软件HFSS作为辅助，可以求得传输线模型中元件的参数值，最后对其功耗进行了分析。最终可以获得TSV工艺的改变对其功耗的影响。