半导体纳米晶体量子点是一种人工制备的新型纳米材料。近年来,对量子点的性质进行了一定研究。研究表明量子点一系列奇特的光、电、磁效应都与量子点的尺寸有关。本文主要研究量子点的荧光效应、荧光寿命与其尺寸之间的关系。荧光辐射寿命是量子点在光电领域的基本特性,对量子点光电器件的增益显得尤为重要。由于量子点的尺寸效应和表面效应以及其结构的复杂性等原因,使得对其荧光寿命研究的变得复杂。此外,量子点的荧光寿命与其所的本底有关。目前对量子点荧光寿命研究主流手段都存在一定缺陷,由于量子点的荧光寿命受较多因素影响,所以利用这些手段得到的荧光寿命数据离散很大,具有很大的不确定性。因此,对PbSe量子点的荧光寿命的研究亟需进一步开展。在本实验中,我们控制实验测试温度为室温(300 K),实验所用的PbSe量子点尺寸为2.7~5.7 nm。本实验利用透射电镜、近红外吸收谱、荧光光谱和时间分辨光谱等技术,测量了离散在正己烷有机溶剂中、不同粒径的PbSe量子点的吸收谱和荧光谱。通过对实验所得数据进行分析,我们给出了第一吸收峰和荧光峰峰值分别随量子点粒径变化的经验公式。通过对瞬态荧光衰减曲线的测量和分析,得到了PbSe量子点的荧光寿命。结果表明:测量的荧光寿命与量子点的表面缺陷有关。在本文粒径范围内,由荧光跃迁仅为带间直接跃迁和仅为缺陷态跃迁两种极端情况,可得荧光寿命最宽分布区间位于1.44~11.96μs。荧光寿命弱关联于粒径,并随粒径的增大而呈线性减小。当PbSe量子点的粒径为2.7~5.7 nm时,其实测的平均荧光寿命为7.17~6.72μs。同时,我们还给出了用于描述PbSe量子点的平均荧光寿命随粒径变化的经验公式。通过本文的研究,我们定量的分析了在本实验条件下PbSe量子点光谱和荧光寿命随粒径变化的规律,并且给出三个经验公式来描述这些规律。这些经验公式对PbSe量子点掺杂的增益型器件和传感器设计有重要的意义。