PECVD法制备本征/掺硼纳米非晶硅薄膜及其性能研究

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【摘要】

：

纳米非晶硅(hydrogenated nano-amorphous silicon，na-Si：H)因具有类似非晶硅(a-Si：H)的高光吸收系数(达10~5数量级)和光敏性，同时又具有纳米晶硅(nano-crystalline silicon，nc-Si：H)的宽带隙E_(opt)(1.8～2.0eV)和光照稳定性，使其成为较理想的新型太阳能电池材料。因此，该材料的研究也备受人们关注。本论文采用

【作者】

：

冯仁华

【机构】

：

浙江大学

【发表日期】

：

2007年06期

【关键词】

：

RF-PECVD 纳米非晶硅硼掺杂 Si-H组态光学带隙吸收系数 S-W效应电导激活能

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