随着集成电路技术的发展,新工艺不断出现,特征尺寸不断减小,ESD保护结构的设计面临更多挑战。因此深入研究GGNMOS ESD防护特性及其影响因素成为必要。本文利用混合仿真方法对GGNMOS器件在ESD脉冲下的瞬态特性进行了仿真分析和研究。分析表明,ESD脉冲参数对防护特性的影响不可忽略,大的dV/dt对栅氧化层的可靠性造成威胁,同时也极大地影响了过冲电压,论文研究并总结得到脉冲参数的影响规律；另外,通过改变深亚微米工艺条件和器件结构尺寸,分别研究了二者对GGNMOS ESD防护特性的影响及作用机理,提出设计策略。文中还使用正交试验的方法分析了器件结构尺寸对防护特性的影响程度,结合分析结果给出了GGNMOS的ESD防护特性优化方案。脉冲参数对防护特性影响规律的提出可以为ESD测试实验的条件设置和标准规范提供依据,完整的瞬态响应机制分析使得ESD保护研究者对GGNMOS在ESD情形下的物理机制和特性有更深入的理解,而深亚微米工艺条件和器件尺寸对防护特性影响的研究及GGNMOS防护特性优化方案的提出为ESD保护器件设计者提供了理论依据和设计参考。