随着科技的不断进步与革新,通信系统中的射频器件要求愈发严格。射频器件是无线连接的核心,是实现信号发送和接收的基础。随着5G技术的快速发展,如今5G技术已经应用在了许多终端设备、物联网设备上,如智能手机等等,随之而来的是射频前端市场的快速增长,对射频前端模块提出了大功率、高集成、低功耗、低成本、国产化等一系列新的要求。伴随着系统的工作频率和复杂性的增加,射频前端接收模块中的射频开关和低噪声放大器等芯片都必须具有更高性能和工作效率。本文针对射频前端接收模块中的射频开关和低噪声放大器进行了分析,列举并分析了常见的低噪放和射频开关结构。低噪放电路方面设计了电流复用和共源共栅的两级放大结构,为提高低噪放的静电防护等级设计了ESD保护电路;大功率射频开关方面则设计了非对称串并联开关电路,根据实际需求进行了热设计优化,提高了隔离度、开关响应速度并缩小了版图面积。最后将低噪放和射频开关组成模块,并设计评估板对单低噪放和模块的整体性能分别进行了测试。砷化镓（GaAs）的电子迁移速率较好,适合用于长距离、长通信时间的射频电路,基于Ga As芯片的单片微波集成电路性能优异、可靠性高,得到广泛应用。微波成像、无线通信、雷达探测、射电天文等领域的迅速发展,对微波电路的小型化、高性能、低功耗等方面的要求不断提高。低噪放是射频接收通道的第一级有源电路,其性能表现会直接影响整个接收模块对信号的处理能力。本课题基于南京国博电子有限公司的射频集成电路产业化项目,对射频接收前端模块产品GNB1007进行升级,对模块中的功能布局和结构设计进行了优化。低噪声放大器是基于0.25μm Ga As p HEMT工艺设计的两级级联拓扑结构,第一级采用源极负反馈的电流复用结构,第二级采用共源共栅结构,输入端口采用最小噪声匹配,输出端口采用最大增益匹配,对端口驻波和增益平坦度都进行了优化,并对电感、电容进行模型参数提取和验证,在满足增益、噪声系数和稳定性的基础上减小元件尺寸,最终芯片尺寸为1.8mm*1mm,提高了集成度。射频开关研制部分本文基于PIN二极管设计了适用于大功率工作模式的单刀双掷开关,根据通过功率和热损耗情况在电路结构和版图设计上进行了优化,有效减小了芯片面积。最终模块尺寸为5mm*5mm*1.2mm,在1.9～4GHz频带内,插损小于0.4d B,通过功率120W（连续波功率）,隔离度大于40d B,噪声系数小于1.0d B,增益大于30d B。射频接收前端比传统技术的接收链路功耗降低20%,尺寸缩减43%,大大减小了模块尺寸,提高了整体的集成度。