传感器技术与通信、计算机并称为现代信息产业的三大支柱,是衡量一个国家智能化、数字化的重要标志。随着检测精度的不断提高和服役条件的日益苛刻,传统的传感器已经难以满足需求。如何在高温、高频、大功率等极端恶劣环境下,仍赋予传感器高的灵敏度和稳定性成为传感器领域亟待解决的问题。碳化硅（SiC）作为第三代宽禁带高温半导体,具有高电子迁移率、高热导率、高击穿电压、优异的机械性能和化学稳定性等优点,是研发极端环境下高灵敏高稳定压力传感器的理想材料。然而,SiC材料体系,特别是低维纳米材料始终难以获得与Si材料相比拟的压阻性能。因此,提高SiC纳米材料的压阻性能,制备高灵敏度的SiC压阻式压力传感器已成为当下研究的重点。本论文针对SiC纳米材料压阻性能的提高做了以下探索:（1）采用高温热解有机前驱体（聚硅氮烷）的方法,以Co（NO₃）₂为催化剂,在N₂/Ar气氛中,制备了N掺杂的3C-SiC纳米线。利用原子力显微镜（AFM）进行压阻性能测试。结果表明,N掺杂SiC纳米线拥有正的压阻特性,微量的元素掺杂有利于载流子的传输。在21.5～122.6 n N范围内,SiC纳米线压阻系数为3.81～6.68×10^-11 Pa^-1,应变系数最大为～40.1,远高于未掺杂的SiC纳米线和块状SiC材料。（2）利用原子层沉积技术（ALD）在N掺杂SiC纳米线表面沉积纤锌矿结构的ZnO层,构造ZnO/SiC异质结纳米线。压阻测试结果表明,相同压力范围内,ZnO/SiC纳米线检测到的最大电流值是SiC纳米线的6倍,电阻变化率（ΔR/R₀）为0.82,压阻系数达到最大值为～8.49×10^-11 Pa^-1,对应的应变系数为～50.93,明显高于SiC纳米线和大多数的SiC正压阻器件。外力作用下,ZnO纳米层两端产生极化电荷调控势垒高度及内部形成极化电场,有效耦合ZnO的压电效应,是提高异质结纳米线载流子传输速率及压阻系数的主要原因。（3）进一步优化沉积ZnO层的厚度,探索ZnO层厚度对SiC纳米线压阻性能的影响。ZnO层厚度为20 nm时,ZnO/SiC异质结纳米线拥有最大的压阻系数为～9.47×10^-11 Pa^-1,对应的应变系数为～56.82,并引入波长为405nm的入射光研究其光照下的压阻性能。结果显示,光功率为40.6 m W时,压阻系数可以达到～15.05×10^-11 Pa^-1,应变系数为～90.3,远高于暗态下异质结纳米线的应变系数,说明光辐射有利于提高其压阻性能。