本论文选用射频（13.56MHz）放电作为等离子体产生源，以静电探针为测量手段，研究了D4这种单体的等离子体聚合反应的产物和过程。1. 在不同的放电气体下，我们得到了粉末、透明薄膜和交联薄膜三种D4的等离子体聚合产物，其中粉末与透明薄膜是在相同的放电条件下获得的。经过红外和XPS分析后，我们发现粉末与透明薄膜的结构是完全不同的，因此，我们认为这两种产物存在着不同的聚合机理。其中粉末为气相空间的聚合产物，薄膜为基片上的生长产物，即粉末与薄膜的活性物种分别是在空间和基片生成。我们还发现透明薄膜与交联薄膜也存在不同的聚合机理。透明薄膜的形成过程中，Si—O键的断裂是D4在聚合过程中主要的断裂方式；而交联薄膜的形成过程中，Si—C或者C—H的断裂是D4在聚合过程中主要的断裂方式。2. 在放电空间引入磁场后，放电空间的电子温度增加了。此时，等离子体聚合的产物为颗粒状的薄膜。从红外谱图看出：这种薄膜与交联薄膜类似，只是其中含有较多的羰基。这很可能就是由于磁场增加了粒子间相互碰撞引起的。3.从放电后产物的分布与磁场的形状相似，可以推论出：有磁场存在时，反应的活性粒子包含有带电粒子。因为只有带电粒子才会受到磁场的约束。