LDMOS(Lateral Diffused Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)是半导体集成电路技术与微波电子技术融合起来的新一代集成化的固体微波功率半导体产品,它作为功率放大器件被广泛地应用在移动通讯、广播电视、微波接力、导航和相控阵雷达等领域.基于其上的射频大功率LDMOS由于具有P、L波段以上的工作频率和高的性价比而成为3G手机基站射频放大器的首选器件。静态特性是衡量射频大功率LDMOS性能的关键因素之一。国内外研究人员通过大量试验不断优化,加速了该器件的更新换代,但对其内部机理研究很少。在此背景下,本文通过ISE TCAD数值模拟和实际芯片测试,从耐压和跨导两方面,对射频大功率LDMOS静态特性的机理作了详细研究,主要工作和创新包括:1)耐压模型方面——推导了RESURF LDMOS全漂移区电势和电场强度的二维分布模型,并在此基础上建立了REUSRF LDMOS的击穿电压模型;2)耐压优化方面——考察了漏区边界曲率对射频大功率RESURF LDMOS耐压的影响,并讨论了通过提高漏区边界曲率来优化器件性能的方法;3)跨导模型方面——分析了小尺寸LDMOS中的电子运动规律,指出在射频大功率LDMOS中沟道和漂移区均可能出现电子速度饱和。在此基础上建立了射频大功率LDMOS的跨导模型。