随着无线通信技术的飞速发展和市场需求的不断增加，对射频接收机的性能提出了更高要求，而低噪声放大器作为接收机关键的第一级，其噪声、线性范围、增益等指标直接影响整机性能。同时在众多工艺中，虽然硅CMOS的高频性能和噪声性能不是最好，但由于它的工艺最为成熟、成本最低、功耗最小、应用也最为广泛，且随着技术水平的提高，硅CMOS的频率特性和噪声特性也逐渐得到改善，因此CMOS射频集成电路将很可能是未来发展的趋势。　　 目前市场流行的通讯产品芯片，设计时需要考虑功耗、噪声、面积等特性。要想同时获得高电压增益、高线性度、低噪声及低功耗，是很不现实的，一方面因为在LNA的设计中需要做出取舍，为了获得某项良好的性能，可能要牺牲其它性能，另一方面，受元器件本身和外部因素的影响，性能只会变得更差。因此，一个好的LNA要看它实现目的的方法和程度。　　 本文首先对无线接收系统做简单介绍，以台湾集成电路代工厂(TSMC)0.18μmCMOS工艺中的电容、电感和电阻器件为基础，介绍了元器件的结构工艺和电路等效模型。在噪声部分介绍了基本噪声理论，同时对低噪声放大器噪声性能作分析，比较了CS-LNA和CG-LNA的电路特点，探讨了采用经典的共源共栅结构的好处，提出优化噪声可能办法。阐述了非线性产生的原因，具体分析了1-dB和三阶交调特性。通过对经典的Cascode分析和比较，提出利用电流镜为MOSFET提供偏置电压，由于电阻噪声很大，采用LC网络代替电阻对电流镜限流，在CS栅源级并接电容，并在栅极串接电感以便联合调谐；电路采用CS和CG级间电感消除级联电路寄生参数，最后在输出端接LC谐振网络实现端口阻抗匹配，保证在需要的中心频率点获得低噪声、高增益。　　 本文分析了2.4GHz小信号的CMOS LNA，采用ADS(Advanced designsystem)软件进行仿真，得到2.86dB的噪声系数，-7.8dB的反射系数，28.18dB的增益。作出图形曲线，仿真的结果在允许范围内，并探讨了各元器件对电路参数的影响程度。