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伴随着高质量外延薄膜制备技术的进步,氧化物界面超导研究在近20年来得到了快速发展,其对研究多量子序共存与竞争相关的界面物理、理解高温超导机理、还有发展超越传统硅基器件的新型氧化物电子器件等方面均有重要价值。本论文重点研究了两类氧化物界面体系。一是KTaO3界面超导体系。新近发现的KTaO3界面超导体系（EuO/KTaO3、非晶LaAlO3/KTaO3等）比传统SrTiO3界面体系的超导转变温度高一个数量级,并受KTaO3表面晶面取向影响,引起广泛关注。二是铜氧化物界面体系。铜氧化物是最经典的高温超导体系,在其中探索新的界面高温超导具有重要的实际意义。本论文的内容安排如下:首先,对SrTiO3、KTaO3和铜氧化物界面（导电）超导体系做了背景介绍,然后给出了选题依据。其次,介绍了本论文中用到的薄膜制备（脉冲激光沉积和电子束蒸发）、微纳加工、形貌和结构表征、电输运测量、离子液体调控等技术方法。然后,为研究KTaO3界面超导机制,我们使用离子液体对KTaO3单晶进行了调控,实现了对KTaO3（001）、（110）和（111）晶面的电子掺杂,并分别在KTaO3（111）和（110）表面得到了转变温度为2K和1K的二维超导。与之对比,KTaO3（001）样品直到最低温0.4K时也没有出现超导迹象。通过测量垂直与平行两个方向的上临界磁场得到了离子液体调控的KTaO3（111）和（110）表面的超导层厚度与相干长度,发现相干长度与KTaO3界面超导相当,超导层厚度比KTaO3界面超导更大。通过研究不同栅极电压的影响以及参比电极的对照,我们认为离子液体对KTaO3的调控可能是静电和电化学的混合效应。这一工作不仅表明KTaO3界面超导的关键因素是电子掺杂的KTaO3表面,而且为利用离子液体调控技术研究KTaO3的内在超导电性铺平了道路。最后,为寻找新的界面高温超导体系,我们从经典的铜氧化物La2CuO4出发,首次在由两种莫特绝缘体PrBa2Cu3O7和La2CuO4组成的界面发现高温超导。在这一工作中,我们使用脉冲激光沉积技术构建PrBa2Cu3O7/La2CuO4异质结构样品,发现界面处存在高温超导;与之对比,相同条件下生长的La2CuO4和PrBa2Cu3O7单相薄膜均为莫特绝缘体。通过控制氧化条件和用Fe选择性掺杂特定CuO2面（Fe可抑制超导）,发现超导发生在靠近界面的La2CuO4一侧,并可约束在不超过2层单胞内（约2.6 nm）。结合实验数据,我们认为PrBa2Cu3O7/La2CuO4界面高温超导的机制为氧在界面处的重新分布。