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该文采用X射线光电子谱、霍尔测试、傅里叶红外光谱及电流-电压特性研究磁控溅射方法制备的PtSi/p-Si薄膜中硅化铂相形成和分布、光谱特性及肖特基势垒高度,考察了工艺条件对薄膜光电性能影响规律;利用固体与分子经验电子EET理论（EET）研究了界面Pt<,2>Si、PtSi的价电子结构,并结合XPS、霍尔效应分析硅化铂薄膜具有高导电性机理,为PtSi/p-Si界面接触具有金属-半导体接触特性提供了理论依据;用统一模型理论研究了界面态对PtSi/p-Si费米能级的钉扎.