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本文系统地研究了锰基钙钛矿薄膜和块材的制备方法,探讨制备条件对样品性质的影响,并通过实验研究,提出了制备锰基钙钛矿材料的新方法,且深入研究了所得样品的性质。文章共分两大部分。第一部分关于薄膜材料的制备,研究了磁控溅射法沉积镧锶锰氧薄膜时,氧含量对薄膜性质的影响。通过增加沉积过程中的氧分压或后期退火,可明显提高薄膜的金属-半导体转变温度,退火后薄膜晶粒尺寸增大,电阻率降低;同时尝试利用电子束蒸发法制备镧锶锰氧薄膜。结果发现,在衬底温度为500摄氏度时,能在单晶铝酸镧衬底上制备规则排列