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MEMS器件应用前景广阔,其可靠性问题引起了人们越来越多的重视。硅基底多层结构是MEMS器件的重要组成部分,其特性将直接影响MEMS的可靠性。分层失效是MEMS的典型失效模式之一,然而环境应力对其影响机理尚不明确,也没有标准化的试验方法。本文将可靠性强化试验引入MEMS领域,研究MEMS的分层失效机理,建立其可靠性强化试验的温度、振动和冲击单应力剖面。主要研究内容如下:1.对硅微结构的分层失效进行分析。提出了硅-玻璃键合中存在的问题,建立了环境应力与失效模式的关联矩阵,确定了强化试验应力。2.建立硅