本文研究了真空微电子学的主要进展,在研究了场发射阵列FEA、场发射显示器FED、真空微电子微波毫米波器件等的发展过程中,重点研究了有关器件对FEA的特殊要求、可能的解决办法和存在的问题,并论述了发展真空微电子技术的主要内容和意义,最后提到了有效地发展我国真空微电子器件需重视的个问题。本文在深入研究真空微电子器件场致发射理论的基础上,根据楔形阴极真空微电子三极管的特点,建立了物理和数学模型,在考虑空间电荷密度影响的前提下,以有限元法为基础采用迭代的方法计算出真空微电子三极管内的电势分布情况,绘制出了等势线、电子轨迹线,并得到了器件电学性能随几何参数的变化情况。在对模拟结果进行仔细分析后,结合半导体微细加工的特点在工艺条件允许的范围内建立了一套较完整的真空微电子三极管优化设计方案。