以GaN基半导体材料为代表的第三代半导体材料,是宽禁带直接带隙材料,具有介电常数、导热性能良好、饱和电子漂移速率高、以及抗高电压、耐高温、抗酸碱腐蚀等特点,被广泛的应用于抗辐射、高频、大功率和高密度集成的电子器件和各种发光、光探测器件。例如,基于三族氮化物的LEDs就因为在下一代固态照明中巨大潜能,而得到了快速的发展。文中研究了在蓝宝石衬底上生长GaN薄膜材料,利用的金属有机化学气相沉积技术（MOCVD）。结合高分辨X射线衍射（HRXRD）,JSM700F场发射扫描电镜（SEM）等分析手段,分析薄膜厚度,即生长时间,对GaN外延片质量的影响,并对其内在物理机理进行探讨。其次,研究了 p-GaN与Ni/Au组合金属欧姆接触问题,并成功优化了p-GaN欧姆接触制作工艺条件。研究得到了如下结果:1)通过MOCVD设备,利用两步法,系统地研究了薄膜厚度,也就是生长时间,对c面Al2O3上外延的GaN薄膜晶体质量,尤其是位错,的影响机理。实验中利用HRXRD测量了不同厚度GaN薄膜的（002）面和（102）面摇摆曲线,GaN薄膜中刃位错占多数,比螺位错要多两个数量级,并发现随着薄膜厚度的增加,刃位错密度发生显著的减少,但是螺位错密度则变化不大。2)研究了在p-GaN上沉积Ni/Au,并通过合金化处理,得到欧姆接触的问题。实验采用圆点传输线模型（CTLM）测量它们的比接触电阻率,并以此为依据优化工艺参数在600℃,O2氛围中快速退火60s后,得到了 p-GaN与Ni/Au之间的比接触电阻率为9×10-4 Ω.cm-2。