【摘 要】
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本文采用基于密度泛函理论的第一性原理赝势平面波方法,对具有重大应用前景的半导体光电子材料掺杂Mn的β-FeSi2的几何结构、能带结构及其光电子特性进行了详细的计算研究。详
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本文采用基于密度泛函理论的第一性原理赝势平面波方法,对具有重大应用前景的半导体光电子材料掺杂Mn的β-FeSi2的几何结构、能带结构及其光电子特性进行了详细的计算研究。详细计算了掺杂Mn的β-FeSi2的几何结构、能带结构和光学性质。结果表明Mn杂质原子对Fe原子的取代造成晶格畸变,晶胞体积增大;掺入杂质时掺杂原子的置换位置具有择位性,Mn掺杂时Mn原子的置换位置为FeI位的Fe原子;Mn掺杂后,费米面向价带偏移,β-FeSi2导电类型变为p型;计算了Mn杂质的存在对β-FeSi2的光学性质造成的影响:掺杂后的β-FeSi2的复介电函数、吸收系数、折射率、反射率、光电导率光谱都向低能方向发生了偏移;Mn掺杂使得能量损失函数的最大峰值向低能方向偏移,最大吸收峰的值减小;Mn的掺入增大了β-FeSi2的折射率n0。
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