二硫化钨（WS₂）作为过渡金属硫化物（TMDCs）中的代表之一,因其拥有优良的电学、光学和光催化等特性被人们广泛的关注与研究。单层WS₂继承了石墨烯高迁移率,透明柔性等特性,同时较宽的带隙也弥补了石墨烯零带隙的缺陷,使WS₂拥有较高的开关特性,在电子器件领域拥有广阔的发展前景。论文采用低压化学气相沉积法（CVD）制备WS₂薄膜,在实验过程中探寻载气流量、压强、硫源加热温度和基底摆放位置等因素对薄膜质量的影响。寻找最佳合适条件,并利用光学显微技术、拉曼技术和原子力显微技术对制备的薄膜进行表面表征和物质鉴定。结果显示薄膜品质优良,面积大且表面均匀。将制备出的WS₂薄膜转移到新基底用于制备WS₂光电探测器。我们通过测试发现WS₂器件拥有较好的光电响应特性。同时我们补充了器件工作的波段范围,将其延伸到可见光范围内,结果发现在640nm波长下器件的响应度最高,最有利于器件的节能减耗,更有利于光电响应现象的观察。而在430nm波段下器件的量子效率最高,适合充分利用光束中的每一个光子。我们还用WS₂薄膜制备WS₂-MOSFET器件,在常温下测量得到的输出转移曲线显示了其良好的栅压控制性能。同时研究了器件在不同激光波长、不同激光功率下的电学特性,结果显示器件的开启电压随功率的增大而减小,并且在相同源漏电压的条件下,源漏电流趋于饱和的速度更快。在不同波长的光照射下,器件的转移曲线也发生规律性的转变。