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阻变是指经过外加电压的调控可以在高阻态和低阻态重复转变现象,已经在很多金属/阻变介质/金属结构中观察到,这种阻变特性可以用来制作阻变式随机存储器(RRAM),RRAM这几年来被广泛研究,因其具有低消耗,存储速度快,存储密度高等特点被认为是最有潜力的下一代新型非易性存储器。此外,研究表明在金属电极和阻变介质层之间真正的电阻转变区间只有纳米尺度,可以制备尺寸更小的存储器件。至今为止已经有很多材料被证明有阻变特性,如过渡金属氧化物、铁电薄膜、双钙钛矿氧化物等等。也提出了很多模型用来解释阻变效应,比如导电细