为了满足航天电子系统对SBD抗辐照能力进行评估的要求,本论文课题通过理论研究和⁶⁰Coγ射线辐照实验数据分析,研究了器件辐照损伤效应及其抗辐照能力的表征方法。文中设计了SBD器件⁶⁰Coγ射线辐照实验,测试器件电特性和1/f噪声特性,详细分析器件损伤微观机制,深入研究辐照损伤对SBD器件正反向I-V特性和1/f噪声的影响,并确定反向漏电流、击穿电压和1/f噪声功率谱强度拟合参数B为器件抗辐照能力表征参量。研究结果表明,辐照主要产生电离效应,在器件表面的钝化层中引人界面态,使器件性能退化,反向击穿电压减小、漏电流变大、1/f噪声参数B急剧增加;但是没有明显引起正向特性变化。辐照诱生新的界面态,改变界面态密度分布,进而调制了肖特基势垒高度,增大表面复合速度,是引起器件性能退化主要原因,也是1/f噪声剧烈增加的主要原因。基于SBD辐照损伤机理及1/f噪声的总剂量效应、产生机制及1/f噪声的迁移率涨落和载流子数涨落模型的研究,建立SBD器件1/f噪声抗辐照能力表征模型。提出基于1/f噪声的SBD器件抗辐照能力表征技术,并依据SBD器件抗辐照能力表征参量及国军标,实现器件无损筛选。依据实验结果验证,参数B越大,偏离标准值越多,器件可靠性越差,抗辐照能力越低,在辐照环境下工作越容易失效。