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ZnO是一种非常重要的多功能直接带隙型宽禁带半导体材料。其禁带宽度为3.37 eV,激子束缚能高达60 meV。高的激子束缚能使得激子可以稳定存在于室温,因此理论上该材料具有很高的发光效率。此外,由于ZnO还具有高的化学稳定性、高的可见光透射率、制备温度低、环境友好和原料廉价易得等特点,使得其在太阳能电池、平板显示器,特别是发光二极管(LED)和激光二极管(LD)方面具有极大的应用前景。目前,ZnO的研究主要集中在三大领域：ZnO纳米结构、ZnO透明导电薄膜以及p型ZnO的研制。在这些研究方