基于“荷叶效应”的表面自清洁技术已经引起了人们的广泛关注。但传统的研究方法大多是基于“自下而上”的技术手段，而对利用“自上而下”的加工方法的报道却很少。本文利用化学湿法蚀刻工艺，以半导体工业中的基础材料硅片为实验基底，仿生制备出了具有“荷叶效应”和“猪笼草效应”的功能性薄膜表面。经研究表明：（1）通过控制蚀刻时间和蚀刻液浓度，仅利用化学湿法蚀刻工艺就可使金涂层硅基表面的润湿性发生明显改变。与水最高静态接触角为140.4°，而且与表面张力为58mN/m的甲酰胺，静态接触角也达到了113.9°。这说明仅通过改变表面粗糙度这一条途径就可使得表面获得一定的疏水疏油特性。（2）相比于未经金辅助蚀刻工艺处理过的普通商业硅片，金辅助蚀刻工艺能够显著提高蚀刻效果。通过金辅助电镀蚀刻工艺可以使薄膜表面对水和表面张力比较大的几种油，诸如丙三醇和甲酰胺，达到很高的静态接触角；而未作金涂层处理的普通商业硅片蚀刻后是不具备疏水疏油特性的。由此可见基底成分不同，对实验结果有很大影响。（3）根据“猪笼草效应”的机理，通过在已制备好的多孔隙硅基表面上预浸润正十六烷和甲基硅油两种表面张力较低的液体，制备出了动态润湿性能优异的多孔隙滑动表面。受测液滴在SLIPS表面上的最小滑动角均小于10.0°，其中甲酰胺在以甲基硅油打底的SLIPS表面上的最小滑动角仅为0.8°。（4）受自然界中“出淤泥而不染”的荷叶表面自清洁机理的启发，实验制备的薄膜表面不仅对水具有高疏、自清洁性，而且对表面张力很大范围内油类也具有抵制性和自清洁性能。（5）利用热生长法和乙酸蚀刻处理铝基表面，获得了具有一定疏水疏油效果的薄膜表面。其中在乙酸溶液中蚀刻40min时，薄膜表面与水的静态接触角便达到了142.0°，滚动角为6.0°。