2001年金属间化合物二硼化镁(MgB<,2>)超导电性的发现，令全世界凝聚态物理学界为之兴奋，并掀起了新一轮高临界温度超导研究的热潮。二硼化镁作为一种具有超导电性的新材料，为研究新一代具有简单结构的高温超导体开辟了新途径，并将成为电子材料领域冉冉升起的一颗新星。这种新型材料在许多方面都优于高温超导体：各向异性小，相干长度大，无弱连接现象等等。这些优越性使二硼化镁有很好的应用前景。作为一种新型超导体，它的许多基本性质都还有待研究。 本文首先通过传统的固相反应的方法制备了纯的和掺杂SiC纳米颗粒的MgB<,2>块材样品。通过对样品的磁化曲线的测量我们得到了样品的临界电流密度，发现掺杂SiC极大的提高了其临界电流密度。通过样品密度、XRD、SEM对掺杂SiC后样品性能改善的原因或机理进行了分析，发现C取代MgB<,2>中的部分的B可能是其性能提高的主要或者说根本原因。 在慢速升温的基础上，我们探索使用了快速升温的方法来制备掺杂的MgB<,2>样品，发现无论是基于普通固相反应还是基于PIT的快速升温方法，都有效的提高了样品掺杂后的临界电流密度。通过分析发现其原因可能是由于快速升温方法更有利于SiC的掺杂和样品晶粒的细化造成的，即快速升温很好的结合了C取代和细化晶粒两种提高样品性能的途径。 最后，我们尝试了使用渗透方法(PIT-D方法)来制备MgB<,2>样品，由此我们得到了高密度的样品，并进一步尝试了在这种方法下掺杂SiC和C纳米管对样品性能的影响。