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近年来,量子点在量子通信和信息处理上的潜在应用越来越受到人们的关注,尤其是量子逻辑门的实现,使得利用量子点进行量子计算成为可能。目前利用量子点中激子纠缠态可实现量子逻辑,但由于单量子点只能实现两个量子位,为了扩大量子位系统,使用耦合量子点体系即量子点分子在量子计算上具有重要意义。本文在理论上计算了量子点分子激子态的性质,运用有效质量模型,计算了分子体系的激子束缚能,重点分析了体系中的应变场对激子态中库仑相互作用和量子耦合机制的影响,探索了对称和不对称量子点分子中的极化效应对耦合体系量子基态的作用机制。文中首先计算了耦合体系中的InAs/GaAs和InAs/InP量子点分子在应变场作用下的激子束缚能,由于体系中具有强的应变,重点分析了InAs/GaAs量子点分子。结果表明：应变在对称体系中可以通过改变量子点高度有效地调控激子束缚能的大小,而在不对称体系中,应变诱导的载流子限制效应使得激子束缚能的变化量是对称体系的两倍多。相比InAs/GaAs体系,InAs/InP量子点分子中应变场较弱,应变诱发的限制效应与量子尺寸限制效应两者相互竞争,共同作用于激子束缚能。随后进一步分析了InAs/GaAs量子点分子中的激子束缚能受其应变效应以及在外加电场作用下的演变规律。我们发现：尽管考虑了应变效应,外加电场可以有效地调控不对称量子点分子中的激子束缚能,而在对称体系中的调控能力却非常有限。最后研究了纤锌矿氮化物量子点中的自发和压电两种极化效应。在分析量子点之前,我们首先计算了GaN/AlN量子阱中极化电荷诱导的静电势。结果发现：在GaN/AlN量子阱中,自发和压电极化对静电势的作用强度相当；在此基础上,分析了GaN/AlGaN和InGaN/GaN两单量子点在不同合金浓度下的极化电荷密度。结果表明：在两单量子点中,合金浓度影响着两种极化电荷密度,使得极化作用的强度出现强弱。在InGaN量子点中,随着In含量的增加,点中的极化作用主要来自压电极化,自发极化可以忽略,而在GaN量子点中,A1含量的增加,自发极化逐渐增强,两者的作用强度逐渐拉开。