新型功率器件——绝缘栅双极型晶体管(IGBT)广泛应用于智能电网、电动汽车、高速铁路、家电产品和工业控制等领域,目前全球市场的IGBT都被国外公司(infineon、farchild、IR、Fuji等)垄断,国内的IGBT处于技术落后,特别是可靠性差的状态。如何提升IGBT的可靠性,制造具有自主知识产权的IGBT产品,推向市场,是迫在眉睫的任务。本论文是基于和国内某知名半导体代工企业的合作项目,主要目的是研发一款具有高可靠性的1200VIGBT,藉此希望能推动IGBT的国产化。1、进行1200VIGBT的设计。包括工艺流程设计、器件结构设计(元胞和终端)、版图设计和可靠性设计等工作。由于工艺设计、器件结构设计、版图设计和可靠性设计是相互关联的,设计时要综合考虑。因此,首先建立了元胞和终端的工艺,然后结合仿真工具对工艺和器件结构进行设计,在考虑可靠性的同时反向对工艺流程进行再次设计,其后进行器件的优化设计和仿真,最终确定工艺和器件结构参数,并绘制版图。其中,设计时需要分析的参数包括元胞大小、终端选取、注入剂量等等。2、对上述设计的1200VIGBT进行两次流片测试,最终测试参数如下：器件耐压约1400V,阂值电压5V,正向压降1.94V,开关时间td(on):56ns、trise:157ns、td(off)：385ns、tfall：101ns,满足预设指标要求。同时通过HTRB考核,短路时间为12μs,大于一般产品datasheet标称值10μs。3、提出几种新器件结构,对于提升IGBT器件的可靠性具有一定的意义。