过去的几十年里,准方钴矿结构R3T4X13族化合物的研究一直备受关注,科研人员的不懈努力使其不断扩充,并陆续发现了许多独特物性。在这一系列材料中,R为稀土或碱土金属元素,T为从3d到5d的过渡金属,X为第三或第四主族元素。此类化合物通常表现出空间群为Pm-3n的立方结构,但由于三个位置元素的不同而展现出迥异的物性。本论文的工作主要包括两方面,一是对准方钴矿结构Yb3Os4Ge13材料中近藤效应的研究,二是探索了Y3Os4Ge13多晶中低载流子浓度超导电性。我们利用Bi作助熔剂首次成功制备出Yb3Os4Ge13单晶,X射线衍射结果显示其为笼状的准方钴矿结构,空间群为Pm-3n(223)。磁性测量表明,温度在120 K以上Yb3Os4Ge13具有完全局域化的Yb的4f磁矩。在40 K以下电阻率表现出对数型上翘。比热系数??在5K以下急剧增大,在2 K达到2 J/mol?K2。通过对实验数据的分析和电子能带结构计算表明,由于局域化的Yb的f磁矩与Ge的p电子之间的强烈杂化导致Yb3Os4Ge13展现出近藤效应。我们利用电弧熔炼法制备出Yb3Os4Ge13多晶样品,通过相同的检测和分析,表明其具有和单晶一致的近藤行为。对锇(Os)基化合物Yb3Os4Ge13的研究将有助于全面理解从3d到5d的T位元素在R3T4X13族化合物中的作用。我们利用通过电弧熔炼法首次制备出Y3Os4Ge13多晶样品,X射线衍射结果表明其为立方结构,空间群为Pm-3n(223)。通过对其磁性,电阻率和比热的测量和分析,发现样品在低温下发生超导转变,超导转变温度Tc~3.3 K。电阻率检测表明其为典型的半金属,对磁性数据的分析说明其为第二类超导体。