发展光伏产业对于应对能源危机的意义重大,薄膜太阳能电池具有效率高、低成本、生产效率高等优点,在光伏器件领域得到了广泛关注。硫化锑（Sb2S3）作为一种新兴的吸收层薄膜材料,不仅成本低廉、储量丰富、低毒性,而且具有理想的禁带宽度（1.7e V-1.8e V）、可见光范围优异的吸收系数以及合适的载流子迁移率,这些光电特性都使得它具有较大的应用前景。发展至今,Sb2S3电池最高的效率达到了7.5%,但相比Sb2S3电池理论的光电转换效率还有很大的差距。为了研究Sb2S3太阳能电池,本文使用气相运输沉积（Vapor Transport deposition,VTD）法制备了硫化锑薄膜,探索了不同工艺条件对薄膜质量及太阳能电池器件性能的影响;并通过导纳法,对太阳能电池的缺陷进行表征,探究了不同工艺条件对缺陷及器件转换效率的影响。此外,还结合数值模拟软件SCAPS评估了不同类型的缺陷对太阳能电池性能的影响,所提出的数值模拟分析方法有望为下一步的工艺优化提供指导反馈,从而钝化缺陷,来获得更好的器件性能。本文主要研究内容如下:（1）利用VTD法作为Sb2S3薄膜的制备方法,通过对制备工艺中的蒸发源温度、衬底与源的距离、沉积气压、沉积时间以及升温速率等参数进行改变,研究不同的工艺条件对薄膜的形貌、结晶度及组分的影响,探究Sb2S3薄膜的最优制备条件。（2）基于VTD法在不同工艺下制备的Sb2S3薄膜,进一步组装结构为ITO/Cd S/Sb2S3/Au的Sb2S3薄膜太阳能电池器件,通过电池的J-V曲线,分析其器件性能的差异;使用导纳法表征不同蒸发源温度制备的不同效率的Sb2S3太阳能电池样品,研究不同工艺条件对缺陷参数（缺陷密度、活化能、捕获截面以及捕获寿命）的影响。（3）基于数值模拟软件SCAPS建立与实验相同结构的Sb2S3电池模型,通过改变不同类型缺陷的相关参数,探究对电池性能的影响;并将导纳法测得的缺陷参数带入到模型中,对比实验与模拟得到的电池性能,以期望为工艺的进一步优化提供指导反馈。