【摘 要】
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运用半导体统计原理，结合半导体表面光伏效应和低温技术，研究了掺金硅中静态电荷转移机制；对于硅中金的双重能级俘获—复合载流子过程的物理图像给出了统计描述；对于所得出的若干
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运用半导体统计原理，结合半导体表面光伏效应和低温技术，研究了掺金硅中静态电荷转移机制；对于硅中金的双重能级俘获—复合载流子过程的物理图像给出了统计描述；对于所得出的若干统计规律，应用低温动态光伏波形的形成予以验证，并估算了金受主能级与施主能级的有关的载流子俘获截面；再应用少子扩散长度测量，估算了掺金硅的金杂质复合寿命，从而进一步验证了这一统计描述的正确性。因而，根据本工作所依据的模型，则是有力地支持了硅中金受主能级与施主能级本届同一金杂质的两个能级的认识的正确性。
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