ZnO室温下的禁带宽度为3.37eV，吸收边位于紫外波段，在可见光区透明，与MgO合金化得到的更宽禁带的ZnMgO薄膜可应用在深紫外光电器件中。掺入Al、Ga和F等施主掺杂剂可以有效地改善ZnO的本征n型导电性能。科技的进步促使电子器件朝柔性化、超薄化方向发展，迫切需要发展柔性透明导电材料。因此，制备柔性透明导电ZnO基材料具有非常重要的现实意义。在本论文中，我们采用脉冲激光沉积技术（PLD，Plused Laser Deposition）制备了F掺杂ZnMgO(ZMOF)透明导电薄膜，此外，为了满足柔性器件的应用要求，我们还开展了柔性ZMOF透明导电薄膜的研究。　　由于制备高质量、可重复并稳定存在的p型ZnO仍是一个难点，导致ZnO同质结器件的制备困难，因此，选用p型NiO与n型ZnO制备的ZnO基异质结器件受到广泛关注。在ZnO/NiO异质结的基础上，我们通过调节Mg含量来制备不同禁带宽度的Nil-xMgxO薄膜，与ZnO和ZnMgO制备成异质结器件并深入研究其能带结构。　　1.采用PLD方法在石英衬底上制备了ZMOF薄膜。350℃，0.001Pa条件下制备的ZMOF薄膜（3at％的F，10at％的Mg）具有最好的光电性能，电阻率最低为6.92×10-4Ωcm，在整个可见光区的透过率超过85％，且用湿法腐蚀方法制备了绒面ZMOF薄膜。　　2.利用PLD技术在柔性衬底上制备了ZMOF薄膜，通过引入ZnO缓冲层，提高了薄膜晶体质量，消除了裂纹，电阻率从1.55Ωcm降低到1.70×10-2Ωcm，迁移率从0.573cm2V-1s-1升高到11.7cm2V-1s-1，大大提高了其电学性能。　　3.利用磁控溅射仪器对以F掺杂ZnO(FZO)为代表的ZnO基薄膜进行了真空退火和H等离子体处理。处理后的FZO薄膜结晶质量更好，电学性能更优，尤其是迁移率实现了3-10倍的增长。我们通过第一性原理计算研究了H在FZO中的位置及能态，发现在ZnO晶格中靠近FO的间隙位的氢(Hi-FO)和处于氧空位中的氢(H-VO)都可以稳定存在，这是H处理后FZO透明导电薄膜高导电性、高热稳定性的原因。　　4.利用PLD技术生长了一系列不同Mg含量的Ni1-xMgxO薄膜，且制备了可探测日盲区的光导型光电探测器。通过快速退火处理提高了薄膜晶体质量，降低了器件暗电流。为了探讨Mg的引入对ZnO/NiO异质结能带结构的影响，我们制备了不同Mg含量的ZnO/Ni1-xMgxO异质结，通过X射线光电子能谱方法研究了异质结的能带结构。研究发现，Mg含量越高，导带带阶和价带带阶偏移量均越大，导带带阶移动量更大。我们进一步开展了双边带隙可调节的Zn1-xMgxO/Ni1-yMgyO异质结的能带结构研究，发现含有相同Mg组分的ZnMgO和NiMgO，Mg对两者能带调节的作用幅度不同，在ZnMgO中的能带调节作用更为明显。因此，我们可以通过分别调节Zn1-xMgxO/Ni1-yMgyO异质结中的Mg含量，来改变双边的禁带宽度及价带顶、导带底的位置，进而设计出所需能带结构的异质结，灵活掌控其在光电器件中的应用。