【摘 要】
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全文重点集中在化学气相渗工艺研究上.采用均热法、热梯度法和具有自主知识产权的直热式化学气相渗工艺(简称HCVI)制备了C/C材料、C/C-SiC双元基、纳米基、梯度基复合材料以
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全文重点集中在化学气相渗工艺研究上.采用均热法、热梯度法和具有自主知识产权的直热式化学气相渗工艺(简称HCVI)制备了C/C材料、C/C-SiC双元基、纳米基、梯度基复合材料以及结构功能梯度材料.研究了各种方法的工艺参数如温度、压力、气体流量配比等对C/C材料微观结构的影响.通过材料设计制备了抗烧蚀隔热复合材料,全面测量了材料的力学性能、热物理性能、抗氧化性能和抗烧蚀性能.文章详细论述了HCVI工艺原理、实验方法、结果,以及对C/C材料产业的影响.HCVI技术解决了气体扩散和表面反应动力学瓶颈问题,制备20mm厚的C/C材料,密度达到1.7g/cm<3>,仅需10小时左右.与传统均热法相比,工艺周期缩短30-50倍,材料成本大幅度下降.HCVI技术不仅在实验方法上有重大改革,在沉积机理上也有重要创新,首次把电磁场作用于反应中间产物自由基上,解决表面反应动力学问题,使沉积速率大大加快.HCVI技术的出现,使中国化学气相渗制备技术走向世界先进行列.
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