随着工艺发展进入深亚微米时代，CMOS器件的二阶效应对电路的性能产生着越来越重要的影响，论文首先对比讨论了MCML电路和其它各种常用逻辑电路在采用深亚微米器件时的性能表现。通过对比发现，MCML电路比其它逻辑电路更适合在低电源电压下工作。由于降低电源电压是降低集成电路功耗最有效的手段，MCML电路的这一特点十分有利于集成电路的低功耗实现。进而，论文提出了MCML电路的开关级设计理论，并在此基础上设计了三值MCML逻辑电路，并对所设计的电路进行了仿真验证。由于MCML电路输出的是小摆幅信号，论文提出了一个三值放大电路，将三值MCML电路的输出进行放大，以便进一步转换，实现和二值信号的接口。论文最后还讨论了低电压低功耗电流型CMOS电路的设计，这一设计巧妙地将电路中的串联开关转换成并联开关，使电流型CMOS电路能在更低的电源电压下工作，实现了电路的低功耗设计。论文中给出的设计实例和仿真结果验证了基于并联开关的电流型CMOS电路的低功耗特性。