液/固金属间的润湿和界面反应是材料制备加工中的一种常见和重要的物理化学现象,会对材料性能产生重要影响。本论文选择汞滴与硅基底间的润湿行为作为研究对象,主要开展了以下工作:采用电化学刻蚀的方法,在n型<100>晶向硅基底上制备出条状和柱状有序多孔硅阵列。研究了电解液中氢氟酸浓度、刻蚀电流密度、刻蚀时间等条件对有序多孔硅阵列的深度和表面形貌的影响。在硅基底上制备出了孔壁比较均匀的多孔硅阵列。采用座滴法研究了室温环境中液态金属汞与不同厚度二氧化硅覆盖下的平板硅基底之间的电润湿性能。研究表明:施加电势的初始阶段,随着外加电势强度的增大,金属汞滴与平板硅基底之间的接触角逐渐减小。当外加电压达到临界电压时,会出现接触角饱和现象,然后随电压升高接触角无明显变化。不同厚度介质层覆盖下的平板硅基底的临界电压值不同,随着介质层厚度的增大,临界电压值逐渐增大。介质层越厚,当达到相同接触角时,所需外加电压越大。结合电润湿机理及硅的性能对上述实验现象进行了分析。采用座滴法研究了室温环境中液态金属汞与二氧化硅覆盖下的多孔硅基底之间的电润湿性能。研究表明:在未加电压时,金属汞滴与多孔硅基底之间的表观接触角大于金属汞滴与平板硅基底之间的表观接触角。在电压变化相同的情况下,随着多孔硅深度的增加,接触角的变化会增大。