InGaAs/InP p-i-n探测器能够响应短波红外波段(0.9～2.5μm)，在室温下具有较高探测率，可实现非制冷探测，而且成熟的InGaAs材料外延技术为高性能器件制备提供了基础，这些使InGaAs探测器在军用、民用、空间遥感、光通讯以及环境监测等领域将具有广泛的应用前景。本论文主要针对平面型InGaAs红外探测器的器件工艺以及器件表征方法进行了研究，主要内容与结论如下：　　 采用Zn的闭管扩散方式制备了平面型InP/InGaAs p-i-n红外探测器，改进的器件工艺改善了器件的p-n结特性，降低了器件的噪声电流，提高了器件的探测率与均匀性。将这一工艺应用于八元小线列器件的制备，器件的峰值探测率平均值为8.11×1011cmHz1/2W-1，不均匀性为4.69％。这些结果为更大规模线列器件的制备与研究提供了基础。　　 通过两种方法研究了器件的p电极接触电阻：基于器件I-V曲线的拟合以及与器件工艺同步制备了传输线模型结构，并计算了接触电极的比接触电阻，结果表明，两种方法得到的电阻值有很好的一致性。从工艺上将器件的p电极从原先的Au/Zn/Au金属体系改为单层的Au层，研究表明，单层Au层作为p电极不仅使器件的电极工艺得以简化，而且它与器件表面有更好的粘附性，其接触电阻更小，均匀性更好。　　 采用扫描电势和扫描电容显微技术实现了对p-n结二维电学性质的表征。结果表明，两种方法都可以直观地给出p-n结的结区形状，而且表征结果具有较好的一致性，并通过理论计算得到了p-n结的位置。　　 进行了平面型256×1InGaAs线列器件的结构设计与工艺改进，通过设计测试结构实现了湿法腐蚀过程中对钻蚀的观察与控制，特别是，通过改进器件的结构很好地抑制了器件有效光敏元的畸形，最终实现器件有效光敏元的准确定义。通过与读出电路互连，测试了256×1 InGaAs线列组件性能，室温下组件平均峰值响应率为1.16A/W，不均匀性为4.69％，平均峰值探测率为5.58×1011cmHz1/2W-1。　　 制备了InGaAs大光敏元器件作为测试结构，对其进行μPCD与OCVD两种寿命测试手段的同步测试，对比了两种方法得到的寿命值，结果表明，在样品的台面区域，两者的平均值分别为112ns和116ns，而对应测试点的相对偏差平均值为3.8％，这说明两者具有较好的一致性。同时，研究了单元器件的量子效率和OCVD少子寿命之间的关系。