低维GaN纳米材料及GaN薄膜的制备与表征

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【摘要】

：

直接带隙宽禁带半导体材料GaN是目前发展高温、高频、大功率电子器件的最重要材料之一,深受国际上的关注。因此,GaN材料的研究已成为当前半导体科学技术的前沿领域和热点。本文采用简单的化学气相沉积法,系统地研究了平直、Z形和锯齿状GaN纳米线、GaN纳米管以及GaN薄膜的制备,及其生长机理。同时开创性地采用水热氨化两步法制备出了GaN纳米片状结构及由棒状物类阵列排列组成的GaN薄膜,并对它们的形貌、结

【作者】

：

王晓宁

【机构】

：

太原理工大学

【发表日期】

：

2012年01期

【关键词】

：

氮化镓纳米线纳米管 CVD 水热氨化

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