本文主要采用直流反应磁控溅射的方法,在玻璃、石英及Si衬底上制备锐钛矿相TiO₂薄膜,通过测量其晶体结构（XRD）、表面形貌（SEM、SPM）、表面成分（XPS）、薄膜厚度（台阶仪）以及透过率（UV-Vis）等,来研究其制备条件如衬底温度、溅射功率、氧分压、退火温度等对薄膜结构、表面形貌及其光学性能的影响。然后利用此材料制备Au/TiO₂/Au结构的MSM光电导型TiO₂薄膜紫外探测器,通过测量Ⅰ-Ⅴ曲线、光响应特征及时间响应研究其紫外光电特性。以及利用相同的原理制备ZnO/TiO₂复合薄膜探测器,通过测量Ⅰ-Ⅴ曲线研究其光电性能,并与TiO₂薄膜紫外探测器在光响应特征方面作一些比较。实验结果表明,TiO₂紫外探测器在250nm、5V偏压紫外光照下光电流约为200μA,其响应度为40A/W,平均暗电流约为50nA。TiO₂紫外探测器在紫外区有较高的光电流,在230～300nm的紫外波段,探测器有很明显的光响应,且光电流响应比较平坦;在300～380nm区域,光响应明显下降;光导探测器的响应度决定于量子效率及光电导增益。且其光响应的上升迟豫时间约为28s,下降响应时间约为50s;响应时间较长是由于广泛分布于薄膜中的缺陷陷阱而造成的。而ZnO/TiO₂复合薄膜探测器其暗电流与光电流分别为0.5μA与500μA,上升与下降迟豫时间分别约为22s与40s;ZnO/TiO₂薄膜探测器在光电性能方面优于TiO₂,可能原因是由于ZnO/TiO₂复合薄膜之间的费米能级不同而形成的空间内建电场的作用。