二维TMDC薄膜制备及其硅基异质结构光电探测器研究

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光电探测器作为一种重要的信息感知器件,已成为现代小型化电子工业中的关键部件,在科研、国防和民用等领域有广泛的应用前景。基于传统半导体材料如Si、Ge、In Ga As、In Sb、Hg Cd Te和II型超晶格等的光电探测器已广泛应用于紫外、可见、近红外到远红外等光谱范围。近年来,人工智能、物联网等领域的兴起,对光电信息感知器件的功能提出了更高的要求。然而,传统半导体材料由于其带隙限制、材料刚性以及晶格失配导致不同材料工艺不兼容等因素,难以满足下一代高灵敏、多波段可调控、硅基集成、轻量低成本的智能感
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