具有高放电能量密度和能量效率的聚合物基复合电介质是现代电子系统发展的迫切需要。近年来,PVDF聚合物由于具有高击穿场强和良好的柔性而引起了广泛的关注。但是,较低的放电能量密度限制了它的应用。尽管关于提高其储能表现的研究十分广泛,例如,在PVDF中掺杂具有高介电常数的陶瓷填料,但是仍存在以下问题。单层的有机无机复合电介质中存在着介电常数提升和击穿场强下降的矛盾,导致其放电能量密度的相对较低。为了解决上述问题,本文从构建多层复合电介质方面展开研究,并对多层复合电介质中的单层的性能进行调控。除此之外,本文也对不同的有机聚合物之间的复合进行了研究。首先,为了同时提高介电常数和击穿场强,构建了“三明治”结构的复合电介质。通过对单层的介电、极化、漏电流和击穿场强性能调控,x TBT（x为TO nws含量,T和B分别代表TO nws和BT nps）“三明治”复合电介质实现高储能表现。由于同时提高的击穿场强和极化,2TBT复合电介质具有最高的放电能量密度,数值为在400 MV/m电场下为13.7 J/cm3,并且其能量效率保持在65%。随后,为了进一步研究两层之间介电性能差异对多层复合电介质储能性能的影响,一个双层异质结结构的复合电介质（简写为THV/x BT,x为BT nps含量）一层为具有较高介电常数的BT nps填充到P（VDF-HFP）,另一层为具有适中介电常数和高击穿场强的纯THV聚合物被构建出来。研究结果表明,通过调节相邻两层介电常数的差异,可以同时提升THV/x BT复合物的界面极化和击穿场强,并限制其漏电流密度。THV/5BT复合薄膜实现了最好的储能表现,放电能量密度为22.7 J/cm3,能量效率为79.0%。最后,将P（VDF-HFP）与具有高介电常数的P（VDF-Tr FE-CFE）（VTC）进行共混。结果表明,有机物之间良好的兼容性使得复合电介质（简写为x VTC,x为VTC含量）的击穿场强和介电常数都显著提升,20 VTC复合物实现了最好的储能表现,放电能量密度为25.8 J/cm3,能量效率为75.4%。随后,尝试以20VTC为外层,x VTC为内层,构建“三明治”结构电介质（简写为x VTC-S）。最终,50VTC-S复合物的放电能量密度进一步提升到29.2 J/cm3。