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碘化汞(α-HgI2)晶体是直接跃迁宽带隙的Ⅱ-Ⅶ族化合物半导体,其原子序数高(Z,g=80,Z1=53),禁带宽度大(300K,2.13eV),体暗电阻率高(ρ>1013Q·cm)、电离效率高(52%),光电吸收系数大,探测效率高,能量分辨率好,对X、y射线有较高的灵敏度等一系列良好的特征,是制备良好室温半导体探测器的材料,其在核辐射探测,数字记录,医学成像,土壤环境检测等领域,都有着广泛的研究和应用价值。目前,多晶α-HgI2薄膜在成像领域有着深入的发展和应用。在晶体结构研究中,择优生长的α-H