具有钙钛矿结构的铁酸铋基无铅压电陶瓷材料（1-x）Bi Fe O₃-x Ba Ti O₃（简称BFO-BTO）因其良好的压电性能和较高的居里温度,有望成为广泛应用于工业生产的新型无铅压电陶瓷材料。然而,由于烧结过程中铋的挥发性以及高温下Fe³⁺和Fe²⁺之间的转化,导致材料漏电流较大而性能不理想,因此需要对该材料进行改性研究。本文拟以0.7Bi Fe O₃-0.3Ba Ti O₃（0.7BFO-0.3BTO）为研究对象,采用添加氧化物和ABO₃型钙钛矿化合物的改性手段,分别研究了Mn O₂、Cu O和Bi(Mg_2/3Nb_1/3)O₃（简称BMN）对BFO-BTO材料的烧结性能、物相组成、显微结构以及电性能的影响。主要研究内容如下:首先,研究了Mn O₂掺杂对0.7BFO-0.3BTO陶瓷的结构和电性能的影响。Mn O₂掺杂有助于提高陶瓷的致密度、均匀性和电阻率,但是会抑制晶粒长大。Mn O₂掺杂会产生晶格畸变,加入量较多（0.5wt%）时会形成四方晶相。随着Mn O₂含量的增加,居里温度略有降低,居里峰逐渐平坦、宽化,表现出显著的弛豫特性。适量的Mn O₂可以降低陶瓷样品的介电损耗,当Mn O₂的掺杂量为0.1～0.3wt%时,陶瓷具有较低的损耗值。其次,研究了Cu O掺杂对0.7BFO-0.3BTO+0.1wt%Mn O₂陶瓷的结构和电性能的影响。Cu O作为一种有效的助烧剂,可以明显提高陶瓷的致密性和晶粒生长,显著改善压电、铁电性能。Cu O促进了陶瓷由弛豫铁电体向正常铁电体的转变。掺杂Cu O后陶瓷的居里温度升高,由450℃（x=0）升高到490℃（x=0.05）,且居里峰值显著升高,高温介电损耗也明显增大。Cu O掺杂会影响0.7BFO-0.3BTO材料的导电机制。当Cu O的掺杂量为0.2wt%时,材料的压电性能温度稳定性得到提高（T_d=～500℃）,此时材料的综合电性能良好:d₃₃=178p C/N,T_c=510℃,k_p=0.242,P_r=8.6μC/cm²,E_c=9.0 k V/cm。最后,研究了BMN掺杂对0.7BFO-0.3BTO陶瓷的结构和电性能的影响。结果表明:BMN与BFO-BTO材料可以实现良好固溶,(Mg_2/3Nb_1/3)³⁺复合离子的B位取代造成组成微区成分的不均匀性而引起弛豫现象,加入0.02mol的BMN可使BFO-BTO材料转变为理想的弛豫铁电体。随着BMN含量的增加,0.7BFO-0.3BTO陶瓷的居里峰ε_m和居里温度T_m不断降低。适量掺杂BMN可以改善0.7BFO-0.3BTO材料的高温绝缘性以及压电和铁电性能。