电子信息产业对铁电薄膜材料的需求与日俱增,使得硅基集成铁电功能薄膜的研究备受关注。钛铌镁酸铅(PMN-PT)铁电薄膜具有优异的铁电性能、介电性能、压电性能、热释电性能、电热性能、电光以及非线性光学性能,可应用于铁电随机存储器、微波可调器件、传感器、芯片致冷、光波导等众多领域。然而,制备高质量的硅基集成PMN-PT铁电薄膜还需解决诸多问题,如薄膜结晶形态与取向控制,微观形貌与其电学性能的本质联系等。本论文围绕PMN-PT铁电薄膜的硅基集成制备与相关电学性能开展了以下研究工作:　　 采用氧等离子体辅助PLD方法在硅基外延h底电极上制备出高度(100)取向的钙钛矿相结构PMN-PT铁电薄膜。通过在沉积过程中引入高活性氧等离子体,PMN-PT薄膜的结晶质量得到提高,获得了纯钙钛矿相结构PMN-PT薄膜。详细分析了氧分压和氧活性对制备多组分铁电氧化物薄膜的结晶质量、微观形貌以及电学性能的影响。　　 通过在Ir底电极和PMN-PT铁电薄膜之间引入LSCO缓冲层,改善了PMN-PT铁电薄膜的结晶质量和微观形貌,有效提高了PMN-PT薄膜的铁电性能。通过分析PMN-PT铁电薄膜的变温电滞回线,发现PMN-PT铁电薄膜在室温具有巨电热效应,通过引入LSCO缓冲层,PMN-PT铁电薄膜的电热效应进一步提高。　　 对PMN-PT铁电薄膜在不同温度、外加电场和频率下的C-V特性进行了系统研究,探讨了界面效应对可调性能影响的相关物理机制。通过分析Pt/PMN-PT/LSCO/Ir结构薄膜的漏电流特性,发现铁电薄膜与电极界面是影响漏电流特性的主要因素。　　 通过氧等离子体辅助PLD方法,在硅基外延Ir底电极上制备出LSMO/PMN-PT和PMN-PT/LSMO两种叠层结构的磁电复合薄膜。探讨了叠层顺序对复合薄膜结晶质量、微观结构和铁电铁磁性能的影响。