硅量子点是一种准零维的半导体纳米材料,由于量子限制作用,发光效率高,明显不同于几乎不发光的硅体材料。此外,硅量子点还具有不含重金属元素、储量丰富、加工工艺成熟等优点,引起了研究者的广泛关注,有望在光电、光伏、生物标记、单光子源等领域发挥重要作用。我们研究了不同环境下的硅量子点的荧光光谱,并将量子点与微盘耦合,研究了微盘对量子点荧光光谱的增强作用,得到以下研究成果:1、我们研究了硅量子点荧光光谱对功率的响应曲线,通过高斯拟合,得到硅量子点荧光光谱的峰值能量和线宽,发现峰值能量随激光功率的增加发生蓝移,这是由于量子点的能态填充效应;线宽随功率增加而变窄,这是因为硅量子点存在两种发光机制,它们对激光功率响应不同导致的。2、我们利用低温微区共聚焦荧光显微扫描系统分析了与微盘耦合的量子点的荧光光谱,耦合后的量子点发光得到了明显的增强。荧光积分光谱的强度增强约35倍。通过分析我们认为增强的主要原因是微盘增强了量子点的收集效率。3、研究了硅量子点荧光光谱的动力学衰减过程。通过比较不同条件下衰减速率、峰值移动和线宽变化分析了硅量子点荧光衰减的原因。我们发现由于光氧化和光漂白作用,空气中的光衰减现象非常严重,真空中光漂白现象得到有效抑制,低温环境下光氧化和光漂白几乎完全抑制。